比较了4种不同的共晶焊料SnPb、SnAg、SnAgCu和SnCu在电镀制备的厚CuUBM层上的反应。温度曲线的峰值为240℃,高于焊料熔点的时间为60 s。图2.27所示为4种共晶焊料在Cu UBM层上经过2次回流后的互连界面的SEM照片。图2.28所示为170℃下固态老化1 500 h后,4种焊料与Cu互连界面处的光学显微镜照片。令人惊讶的是,固态老化高达1 500 h所消耗Cu的量与在2.7.1节中讨论的经几分钟润湿反应消耗的Cu的量具有相同的数量级。......
2025-09-29
首先,我们回顾一下在大型计算机中会用到的可控塌陷芯片互连焊点[12]。图1.9所示为在陶瓷基板上沉积有100 nm Au/500 nm Cu/300 nm共沉积Cu-Cr的薄膜金属化层与95Pb5Sn焊球互连的结构示意。由于Cu和Cr彼此之间的黏附性差,所以人们开发了共沉积的Cu-Cr或共混的Cu-Cr以提高它们之间的黏附性。这是因为Cr和Cu是不混溶的,所以当它们共沉积时,它们的晶粒会形成互锁的微结构。
图3.18所示为共混Cu-Cr薄膜的选区电子衍射图案,在其中能够识别出Cu和Cr的衍射环。图3.19所示为三层薄膜结构横截面的透射电子显微镜(TEM)明场图像[13]。可以将Cu-Cr层的选定区域衍射图案作为Cu和Cr衍射环的混合。Cu和Cr混合层的高分辨率TEM图像如图3.20所示,从中可以识别出Cu或Cr的晶格结构。当95Pb5Sn熔融高铅焊料润湿这种三层薄膜金属化层时,它会溶解Au,在焊料中形成AuSn4化合物颗粒,并在Cu-Cr层上形成Cu3 Sn化合物,但不会形成Cu6 Sn5。这与第2章中讨论的350℃时的Sn-Pb-Cu相图一致。而令人惊讶的是,直到最近才有关于Cu3 Sn剥落的报道[14]。共混的Cu-Cr薄膜与高铅焊料共存时相当稳定。因为共混的Cr-Cu不仅提高了Cr和Cu之间的黏附性,也能够抵抗剥落,这表示如果用Cu/Cr的层状结构代替共混的Cu-Cr/Cr,则可能会发生Cu3 Sn的剥落现象。而这很有可能是共混的Cu-Cr中微观结构的互锁使剥落延迟。
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图3.18 共混Cu-Cr薄膜的选定区域电子衍射图案

图3.19 三层薄膜结构的明场横截面TEM图像
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2025-09-29
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2025-09-29
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2025-09-29
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2025-09-29
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