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电迁移引起的背应力测量方法探析

【摘要】:人们为了测定铝条带电迁移中的背应力已经付出了大量努力。电迁移测试是在260℃的温度下进行的。稳态下电阻增长速率δ/δt,和稳态下电迁移所引起的压应力梯度δσEM/δx,与电流密度的函数关系如图8.9所示。如果在铜的大马士革结构中,能够通过表面扩散机制引发电迁移,那么在结构体内,我们需要获得一个由表面扩散引发背应力的机理。

人们为了测定铝条带电迁移中的背应力已经付出了大量努力。因为铝条带薄又窄,所以这并不是一个容易完成的工作。通常铝条带仅有几百纳米厚和几微米宽,所以如果想通过测量精确的晶格参数以确定其晶粒中的应变,就需要很高强度的聚焦X射线束。同步加速器辐射出来的微衍射X射线束已经被用于研究背应力。来自Brookhaven国家实验室的国家同步辐射光源的10μm×10μm波束的全波段X射线已经被用于研究纯铝线中的电迁移诱导的应力分布。该铝线长200μm,宽10μm,厚0.5μm,其上表面有1.5μm厚的二氧化硅(SiO2)钝化层,底部具有10 nm厚的钛(Ti)和60 nm厚的氮化钛(TiN)的分流层,并且在铝线两端都具有0.2μm厚的钨与接触焊盘相连接。电迁移测试是在260℃的温度下进行的。稳态下电阻增长速率δ(ΔR/R)/δt,和稳态下电迁移所引起的压应力梯度δσEM/δx,与电流密度的函数关系如图8.9所示。在1.6×105 A/cm2阈值电流密度jth以下不会发生电迁移。当电流密度低于阈值电流密度时,电迁移诱导的稳态应力梯度随电流密度线性增加,其中电子风力与机械力平衡,因此实验中没有观察到电迁移漂移现象。但是,阈值应力存在的根本原因尚不明确。

图8.9 稳态下电阻增长速率δ(ΔR/R)/δt,和稳态下电迁移所引起的压应力梯度δσEM/δx与电流密度的函数关系(由Lehigh University的G.S.Cargill教授提供)

劳伦斯伯克利国家实验室的先进光源(ALS)的X射线微衍射装置能够通过一对椭圆形弯曲的Kirkpatrick-Baez反射镜反射聚焦0.8~1μm的白光X射线束(6~15 keV)。在该装置中,光束可以以1μm的步长在100μm×100μm的区域上扫描。由于条带中的晶粒的直径约为1μm,因此每个晶粒在微衍射下可以被当作单晶。如应力/应变和晶粒取向等晶体结构信息可以利用白光劳厄衍射获得。用大面积(9 cm×9 cm)电荷耦合器件(CCD)传感器以1 s或更长的曝光时间收集劳厄衍射图案,这样每个被同步辐射光源照到的晶粒,都可以通过软件推导并显示其晶体取向和应变张量。白光劳厄技术的应变分辨率为0.005%。此外,四晶体单色器装配后,可以为衍射制造单色光束。综合白色和单色光束的衍射结果,我们能够确定每个晶粒中的总应变张量。扫描X射线微衍射技术与应用的详细信息,请参见MacDowell等的著作[30-31]

在器件工作温度下,铜的大马士革结构的电迁移中是否存在背应力尚未明确。如果在铜的大马士革结构中,能够通过表面扩散机制引发电迁移,那么在结构体内,我们需要获得一个由表面扩散引发背应力的机理。因为如果没有保护性的表面氧化物,那么就会发生表面扩散,表面将会是良好的空穴源和空位阱。