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高压静电场水处理器的应用及工作原理

【摘要】:高压静电场处理是给水体施加恒定的高压静电场,多用于水温较高、压力较大的低硬度的水处理系统。高压静电场水处理器腔内的静电场由离子棒与金属水管之间形成。高压静电场水处理器腔内可以看作一个共轴柱面电容器,根据电磁学基本理论,利用电位函数的拉普拉斯方程,采用柱面坐标系,计算PTFE和循环冷却水两种介质电场强度分布的表达式。

高压静电场处理是给水体施加恒定的高压静电场,多用于水温较高、压力较大的低硬度的水处理系统。目前,应用较多的是管式电极(离子棒)技术。离子棒水处理器是水处理领域中一种新型设备,最初由加拿大约克能源公司研制成功,在北美、欧洲等工业发达国家被广泛使用,20世纪90年代引入我国,在电力、钢铁、石化等工业循环水及空调系统使用,取得满意的效果,被喻为水处理技术的一次革命。

高用静电场水处理器是一根管状电极棒(离子棒),以及外设的高压发生器、耐高压绝缘导线和金属输水管所组成,高用静电场水处理器如图7-3所示。

图7-3 高压静电场水处理器结构图

离子棒表面覆有聚四氟乙烯(PTFE)绝缘层,两端设置绝缘端帽,内部电极由不锈钢制成,并固定于管状电极中心。处理器一端为锥管螺纹接口,使用时直接固定在水处理系统管道的接口内螺纹上,这样就可以把管道外壁当作水处理器的一个电极。安装时为避免沉积物沉淀在水处理器上,最好选择垂直安装,压盖在上部,由水处理器的下端进水,上端出水。

高压静电场水处理器腔内的静电场由离子棒与金属水管之间形成。场强方向由离子棒中心阳极指向金属水管负极,呈辐射状分布。电场分布情况如图7-4所示。

图7-4 高压静电水处理器腔内电场强度分布

1—电场线 2—离子棒中心电极 3—金属管壁 4—聚四氟乙烯绝缘层

PTFE是各相同性的介质,密度2.14~2.20g/cm3相对介电常数εr为2.0,介电损耗tanδ为4.8×10-4~6.4×10-4,在所有的绝缘介质中是较低的,这是由于PTFE是由极强的CF键和被原子所强化的CC键组成的线型高分子聚合物缘故。PTFE的击穿电压为35kV/mm、体积电阻率为1016Ω⋅m,这是由于PTFE的分子结构对称度极高,属于非极性高分子聚合物电介质。是一种相对介电常数εr较低、介电损耗率和击穿电压较高,且耐电弧性的理想绝缘材料

当离子棒金属阳极接通高压直流电源时,在PTFE层内壁上感应出束缚负电荷。根据电荷守恒定律,在PTFE层外壁就会产生等量的束缚正电荷,束缚电荷反过来就会削弱原来的高压静电场。

没有外电场力作用时,由于水分子是极性分子,其热运动的方向是混乱无序的。当有外电场力作用时,由于电场力对水分子产生极化作用,水分子中的固有电偶极矩发生偏转,但是水分子自身存在热运动现象,导致不能完全极化。

高压电接入后,水中形成了非均匀辐射状的静电场,此静电场构成了循环冷却水与电场进行能量交换的空间。

1.高压静电场水处理器腔内电场强度的计算

首先做如下设定:①由于水中的电场强度极小,不足以产生强极化场,故忽略水分子极化电荷所产生的附加电场的影响;②视离子棒电荷分布无限长,并且忽略其边界效应。

高压静电场水处理器腔内可以看作一个共轴柱面电容器,根据电磁学基本理论,利用电位函数的拉普拉斯方程,采用柱面坐标系,计算PTFE和循环冷却水两种介质电场强度分布的表达式。

拉普拉斯方程见式(7-2):

PTFE介质中的电位函数和电场强度:

水溶液中的电位函数和电场强度:

式中 φ——电位函数,V

U1——PTFE介质中的电压,V

U2——循环冷却水中的电压,V

E1——PTFE介质中的电场强度,V/m

E2——水溶液中的电场强度,V/m

r——阻垢处理器腔内任意位置的半径坐标,m

R1——离子棒中心电极半径,m

R2——离子棒聚四氟乙烯绝缘层的半径,m

R3——金属水管半径,m

由稳恒电场的边界条件,在PTFE与循环冷却水界面上电流连续,见式(7-7)。

即:

由电磁学共轴柱面电容器理论,有:

式中 U——离子棒总电压,V

κ1——PTFE的电导率,2.5×10-15S/m

κ2——循环冷却水的平均电导率,0.2S/m

取金属管壁为零电位,电位差即为所施加的电压。由式(7-2)至式(7-9),得处理器内电场强度分布的表达式。

式中 E——处理器腔内电场强度,V/m

2.高压静电场水处理器腔内的能量密度

根据静电场能量密度的表达式,得:

式中 ωeF——高压静电场能量密度,J/m3

εr——相对介电常数

ε0——真空介电常量,8.854×10-12F/m

式(7-10)即为阻垢处理器腔内任意位置坐标r处的电场强度表达式,根据给定条件UR1R2R3κ1κ2,代入式(7-10),即可求得阻垢处理器腔内任意位置坐标r处的电场强度值。式(7-11)是已知阻垢处理器腔内r处电场强度E的情况下,该点的能量密度计算式,并非阻垢处理器腔内的平均能量密度值。